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長沙鑫康新材料有限公司
金屬靶材
銅(Cu)靶材
銅(Cu)靶材
產品類別
高純金屬靶材
產品名稱
銅(Cu)靶材
元素符號
Cu
純度
4N, 5N, 6N
形狀
平面靶 旋轉靶 異型定制
銅(Cu)靶材概述
銅靶材我們
可生產純度99.9%~99.9999%的各種純度及要求的銅靶,其中氧含量最低可以<1ppm,主要用于顯示屏及觸摸屏配線及其保護膜,太陽能光吸收層、半導體配線等行業。除了滿足客戶平面靶(最大G8.5代)的需求,我們還可以生產銅的旋轉靶,主要用于觸摸屏行業。高純銅靶材的晶粒很難打碎,我們只有通過超大變形量加工,控制欒晶的生長,以取得細小均勻的微觀組織
,從而可確保濺射鍍膜時能獲得較低侵蝕速率,并且降低濺射過程中顆粒的形成敏感度。下圖是銅濺射靶材的兩種典型的顯微金相檢測圖片,平均粒徑<50um。
只要您提供詳細的靶材信息,如純度,尺寸,公差要求,及其他技術要求,我們將盡快為您提供報價,并提供最快的交期
銅濺射靶中的雜質會降低材料的導電率,在半導體膜層生產中雜質元素是影響良率的主要因素。以鈦、磷、鈣、鐵、鉻和硒等形式存在的雜質尤為關鍵,而這些金屬在我們的銅靶中含量很少,其雜質含量遠遠低于客戶要求標準值。以下表格是4N高純銅濺射靶的成分分析證明書,采用的分析方法:1.使用GDMS或ICP-OES對金屬元素進行分析;2.使用LECO進行氣體元素分析。
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